High Quality Single Crystal Recrystallization of Thin 4H-SiC Films Deposed by PVD Techniques, a way for New Emerging Fields
Recristallisation de haute qualité de films minces de 4H-SiC réalisés par dépôts PVD, une voie pour des nouveaux champs d'application
Résumé
SiC sputtered and e-beam evaporated layers have been deposited on 4H-SiC substrates. High temperature annealing with two plateaus at 1400°C and 1700°C is performed to recrystallize the layers. The crystallinity was investigated by Raman spectroscopy with laser lines of 785, 405 and 325nm. To determine the electrical conductivity of the layers, electrical measurements are made. Only the electron beam evaporated layers presents a recrystallization close to homoepitaxial quality but, contrary to sputtered layers, they don’t have an electrical conductivity.
Des films minces de SiC réalisés par pulvérisation cathodique et évaporation par faisceau d'électrons ont été déposés sur des substrats de 4H-SiC. Un recuit à haute température avec deux plateaux à 1400°C et 1700°C est effectué pour recristalliser ces couches. Leur cristallinité a été étudiée par spectroscopie Raman avec des lignes laser de 785, 405 et 325nm de longueur d'onde. Des mesures électriques ont été effectuées pour déterminer la conductivité électrique des films minces. Seules les couches évaporées par faisceau d'électrons présentent une qualité de recristallisation proche de la croissance homo-épitaxiale du SiC mais, contrairement aux couches pulvérisées, elles ont une faible conductivité électrique.
| Origine | Publication financée par une institution |
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